摘要: 目的 采用不同功率半导体激光根管内连续照射或间隔照射,观察三种照射模式对根管外壁温度升高的影响 方法 实验一:60颗离体单根管牙分2组:A组(功率1.5 W)及B组(功率3 W),每组又分为3亚组(A1、A2、A3),每组10颗,采用三种不同照射模式:A1:照射5s*4次,A2:照射10 s*2次,单次照射间均间隔5 s;A3:连续照射20 s,同时测定根管外壁平均温度的变化。实验二:30颗离体单根管牙,采用功率1.5 W,连续照射20 s的模式,测定牙根外三点:G1(根尖点)、G2(根尖1/3)、G3(根中1/3)温度变化值。结果 A组中,A1、A2、 A3照射模式下根管外壁温度升高均值分别为4.78 ℃, 5.21℃,5.97 ℃,三组间无明显统计学意义。B组于相同照射模式下温升均值均大于A组,且A3模式下根管外壁温度升高最高可达10.3 ℃。相同照射条件下,根尖(G1点)温度升高明显低于根尖1/3(G2点)及根中1/3(G3点)的温度,(P<0.05),G2、G3间无显著统计学差异。结论 照射模式及激光功率对根管外壁温度改变均有显著影响,且不同部位升温幅度也不相同。功率1.5 W条件下,本实验设计的三种不同照射模式,均是临床较为安全的使用参数。
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